国内最大的SiC功率半导体制造基地首栋宿舍楼提前封顶

时间：2024-05-09 来源：本网作者：杨光点击：次

本网讯：5月7日由中建一局集团建设发展有限公司承建的长飞先进基地项目首栋宿舍楼提前封顶。业主团队、管理团队、监理团队、项目部管理人员等共同见证喜封金顶。

长飞先进基地项目位于武汉新城核心区域，是武汉新城诞生的第一个项目，由长飞先进半导体（武汉）有限公司出资建设，总投资预计超过200亿元，主要聚焦于第三代半导体功率器件研发与生产，应用范围广泛覆盖新能源汽车、光伏储能、充电桩、电力电网等领域，致力于打造全智能化、世界一流的碳化硅器件制造标杆工厂，项目建成后，将成为国内最大的碳化硅功率半导体制造基地。

据了解，该项目由中建一局集团建设发展有限公司承建，占地面积约22.94万平米，建筑面积约30.15万平米，主要建设内容有101号6英寸芯片厂房、102号封装厂房、103号外延厂房、104号动力厂房、105号成品库、综合办公楼、员工宿舍以及生产配套用房设施等，建设周期578日历天。

据中建一局集团建设发展有限公司相关负责人介绍，第三代半导体功率器件生产项目建设周期短、工期紧、任务重。自开工以来，项目克服了数个深基坑地下室施工、超高独立柱的施工、超高超限梁高支模架体施工、大面积超平楼地面一次成型施工、SMC膜壳施工、超宽超长钢构件运输、超高大跨度屋面桁架吊装施工等困难，在面对各种高难度技术问题以及冻雨严寒、高温、暴雨等极端天气影响，在项目团队经过综合规划、科学部署下，建立健全质量、安全和进度保障管理体系，圆满完成了深基坑开挖、高大柱施工、高精度楼地面、华夫板、屋面钢桁架吊装等关键工期节点。

首栋宿舍楼提前封顶，标志长飞先进基地项目进入投产倒计时，预计于今年6月封顶，明年7月投产。达产后预计可年产36万片6英寸碳化硅晶圆及外延、6100万个功率器件模块，产能位居全国前列。将促进设备、材料、设计、制造、封装、测试等产业链上下游通力合作，助力武汉打造国内化合物半导体产业高地，吸引世界级碳化硅半导体高端人才来武汉就业创业，助力形成创新活跃、要素齐全、开放协同的产业生态。

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