武汉新市民网讯：武汉国家存储器基地项目迈出重要一步，正式从工程建设转入量产准备阶段。11日，市长万勇在国家存储器基地项目芯片生产机台搬入活动上强调，要以习近平新时代中国特色社会主义思想为指导，坚决贯彻党中央、国务院和省委省政府决策部署，加快推进国家存储器基地项目建设和技术攻关，让“中国芯”在武汉越做越大、越做越强。

　　2016年7月，国家存储器基地项目花落武汉，承担着中国集成电路闪存芯片产业规模化发展“零”的突破、改变我国通用存储器全部依赖进口被动局面的重大使命。去年9月，国家存储器基地项目提前封顶，此次芯片生产机台进场安装后，年内有望产出我国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片。

　　万勇说，国家存储器基地项目芯片生产机台搬入，是“中国芯”的一大步，也是“新武汉造”的一大步。建设国家存储器基地的过程，是武汉勇担国家使命、推进制造强国的过程，武汉一直在为圆国家存储器基地的美梦而不懈努力。

　　事非经历不知难。万勇与现场嘉宾分享了国家存储器基地项目从争取建设、洽谈项目、会商合作，到选址建设、厂房封顶、研发产品等多个重要时刻的所见所感，引发了现场与会人员的强烈共鸣。他说，正是这一路走来的一个个精彩场景，成就了当天机台搬入这一激动人心的时刻——

　　● 武汉期待今年10月设备点亮投产

　　● 期待明年底64层闪存产品产能爬坡量产

　　● 期待“中国芯”在全球市场反应良好

　　● 期待基地第二、第三工厂尽早开工建设

　　“中国芯、武汉造”即将成为现实，中国“缺芯少屏”的历史将由此改写，他祝愿“中国芯”在武汉越做越大、越做越强。

　　市委副书记、常务副市长陈瑞峰主持活动，市委常委、东湖高新区党工委书记程用文，副市长徐洪兰，东湖高新区管委会主任刘子清参加活动。（完）
 

（编辑：俞娜）